Orientador: Alaide P. Mammana

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica

Resumo: Neste texto apresentamos nossos resultados da caracterização de filmes finos de silício amorfo hidrogenado (Si : H-a) obtidos pela técnica de "RF sputtering", usando um antigo sistema Varian que reconstruímos para este fim. As amostras foram depositadas sob diversas condições a fim de...

Resumo: Neste texto apresentamos nossos resultados da caracterização de filmes finos de silício amorfo hidrogenado (Si : H-a) obtidos pela técnica de "RF sputtering", usando um antigo sistema Varian que reconstruímos para este fim. As amostras foram depositadas sob diversas condições a fim de compreendermos a influência dos parâmetros do processo, tais como as pressões parciais de 'H IND. 2¿ e Ar, temperatura do substrato, potência de RF e tensão de polarização do catodo, nas propriedades dos filmes depositados. Assim, estudamos a taxa de deposição, a composição e as propriedades elétricas e ópticas de nosso material, medindo a espessura, a condutividade elétrica e a transmitância no IV e VIS das amostras depositadas ... Observação: O resumo, na íntegra, poderá ser visualizado no texto completo da tese digital

Abstract: In this text we present our results on the physical characterization of thin films of hidrogenated amorphous silicon (a-Si : H) obtained by RF sputtering, using an old Varian system that we have re-built for this purpose. The samples have been deposited on several conditions in order to...

Abstract: In this text we present our results on the physical characterization of thin films of hidrogenated amorphous silicon (a-Si : H) obtained by RF sputtering, using an old Varian system that we have re-built for this purpose. The samples have been deposited on several conditions in order to understand the influence of the process parameters as 'H IND. 2¿ and Ar partial pressures, substrate temperature, RF power and cathode bias voltage, on the electrical and physical properties of the deposited films. So, we have studied the deposition rate, the composition and the electrical conductivity and IR and VIS transmitance. The deposition rate was strongly dependent on the 'H IND. 2¿ partial pressure, decreasing from 80 A/min to 20 A/min when the 'H IND. 2¿ pressur increased from 0 to 0.4 mTorr for 200 W of RF power. Increasinf the RF power from 100 to 300 W, the deposition rate increases strongly, but the thickness uniformity is worsened ... Note: The complete abstract is available with the full electronic digital thesis or dissertations