Espalhamento Raman em heteroestruturas semicondutoras de Si/Ge

Espalhamento Raman em heteroestruturas semicondutoras de Si/Ge

Marcos Antonio Araujo Silva

TESE

Português

T/UNICAMP Si38e

Campinas, SP : [s.n.], 1995.

85 p. : il.

Orientador: Fernando Cerdeira

Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: Nós utilizamos espectroscopia Raman para estudar a dinâmica de rede de heteroestruturas semicondutoras de Si/Ge, tanto experimental quanto teoricamente. Foi feito um estudo de uma ampla região espectral, (de ~ 2 cm-1 até 600 cm-1), que inclui fônons acústicos dobrados, fônons de interface, e...

Abstract: We have used Raman spectroscopy to study the lattice dynamics of Ge/Si semiconductor heterostructures, both experimentally and theoretically. The study was performed in a broad spectral range (from 2 cm-1 up to 600 cm-1), which includes the acoustical folded phonons, interfaces phonons,...

Espalhamento Raman em heteroestruturas semicondutoras de Si/Ge

Marcos Antonio Araujo Silva


										

Espalhamento Raman em heteroestruturas semicondutoras de Si/Ge

Marcos Antonio Araujo Silva

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