Equacionamento, simulação e analise de transcondutores que utilizam o transistor MOS operando na região de saturação
Luiz Antonio Razera Junior
DISSERTAÇÃO
Português
(Broch.)
T/UNICAMP R219e
Campinas, SP : [s.n.], 1995.
113 f. : il.
Orientador: Wilmar Bueno de Moraes
Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica
Resumo: Resumo: Este trabalho apresenta o equacionamento matemático, as simulações e análises detalhadas do comportamento DC, distorção harmônica, resposta em freqüência e excursão do sinal de entrada de dez conversores tensão-corrente, ou transcondutores, que utilizam transistores MOS operando na...
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Resumo: Resumo: Este trabalho apresenta o equacionamento matemático, as simulações e análises detalhadas do comportamento DC, distorção harmônica, resposta em freqüência e excursão do sinal de entrada de dez conversores tensão-corrente, ou transcondutores, que utilizam transistores MOS operando na região de saturação. Estes transcondutores estão subdivididos em quatro grupos, correspondentes aos quatro capítulos do trabalho. São eles: Transcondutores com Pares Diferenciais; Transcondutores com Polarização Adaptativa; Transcondutores em Classe AB; Transcondutores Projetados no DEMIC/FEE-UNICAMP. São tecidos comentários acerca de cada circuito, enfatizando seus pontos positivos e negativos, além de comparações entre os transcondutores de um mesmo grupo. Sugestões e propostas d.e melhorias também são realizadas, além da verificação das mesmas através de simulações
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Abstract: This work presents the mathematical equations, simulations and detailed analysis of DC behavior, harmonic distortion, frequency response and input signal excursion of ten V-I converters, or tranconductors, that use MOS transistors on the saturation region of operation. Those...
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Abstract: This work presents the mathematical equations, simulations and detailed analysis of DC behavior, harmonic distortion, frequency response and input signal excursion of ten V-I converters, or tranconductors, that use MOS transistors on the saturation region of operation. Those transconductors are divided into four groups, which corresponds to the four chapters of the thesis. They are: Transconductors with Differential Pairs; Transconductors with Adaptative Biasing; Class AB Transconductors; Transconductors Designed at DEMIC/FEE-UNICAMP. Comments are done on each circuit, enhancing their positive and negative aspects, besides comparisons among transconductors of a same group. Suggestions and enhancement proposes are also realized, besides their verification by simulations
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Equacionamento, simulação e analise de transcondutores que utilizam o transistor MOS operando na região de saturação
Luiz Antonio Razera Junior
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