Equacionamento, simulação e analise de transcondutores que utilizam o transistor MOS operando na região de saturação

Equacionamento, simulação e analise de transcondutores que utilizam o transistor MOS operando na região de saturação

Luiz Antonio Razera Junior

DISSERTAÇÃO

Português

(Broch.)

T/UNICAMP R219e

Campinas, SP : [s.n.], 1995.

113 f. : il.

Orientador: Wilmar Bueno de Moraes

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica

Resumo: Resumo: Este trabalho apresenta o equacionamento matemático, as simulações e análises detalhadas do comportamento DC, distorção harmônica, resposta em freqüência e excursão do sinal de entrada de dez conversores tensão-corrente, ou transcondutores, que utilizam transistores MOS operando na...

Abstract: This work presents the mathematical equations, simulations and detailed analysis of DC behavior, harmonic distortion, frequency response and input signal excursion of ten V-I converters, or tranconductors, that use MOS transistors on the saturation region of operation. Those...

Equacionamento, simulação e analise de transcondutores que utilizam o transistor MOS operando na região de saturação

Luiz Antonio Razera Junior


										

Equacionamento, simulação e analise de transcondutores que utilizam o transistor MOS operando na região de saturação

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