Orientador: Guillermo Gerardo Cabrera Oyarzun

Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: Desenvolvemos um novo método para o cálculo da Densidade de Estados eletrônicos (DOS) de Ligas Binárias Desordenadas. O método proposto permite a introdução de efeitos de ordem de curto alcance (SRO) e da presença de campo magnético. A estrutura da DOS é utilizada para analisar efeitos de...

Resumo: Desenvolvemos um novo método para o cálculo da Densidade de Estados eletrônicos (DOS) de Ligas Binárias Desordenadas. O método proposto permite a introdução de efeitos de ordem de curto alcance (SRO) e da presença de campo magnético. A estrutura da DOS é utilizada para analisar efeitos de localização dos estados eletrônicos. Nossos resultados mostram que os efeitos de SRO têm um papel essencial na localização dos estados eletrônicos. Obtivemos evidências da presença de estados eletrônicos não exponencialmente localizados para o caso bidimensional. O campo magnético aplicado induz mudanças na DOS que mostra um comportamento oscilatório de deslocalização-localização, quando o sistema está próximo do regime de localização fraca

Abstract: We have developed a new method to calculate the electronic Density of States (DOS) of disordered binary alloys. The method proposed permits to introduce effects of Short Range Order (SRO) and of an applied magnetic field. The structure of the DOS is used to analyse localization effects of...

Abstract: We have developed a new method to calculate the electronic Density of States (DOS) of disordered binary alloys. The method proposed permits to introduce effects of Short Range Order (SRO) and of an applied magnetic field. The structure of the DOS is used to analyse localization effects of the electronic states. We found that SRO effects plays an essential role in the localization of the electronic states. We obtained evidences of the presence of non-exponentially localized electronic states for the two-dimensional case. The applied magnetic field induces changes in the DOS which shows an oscillatory behaviour of delocalization-localization, when the system approaches to the weak localization regime