Formação e caracterização de camadas de TiN para eletrodos metálicos de porta de capacitores MOS

Formação e caracterização de camadas de TiN para eletrodos metálicos de porta de capacitores MOS

Alisson Soares Garcia

DISSERTAÇÃO

T/UNICAMP G165f

[Formation and characterization of TiN layers for metal gate electrodes]

Campinas, SP : [s.n.], 2014.

68 f. : il.

Orientador: Jacobus Willibrordus Swart

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação

Resumo: Filmes ultrafinos (espessuras inferiores a 20 nm) de nitreto de titânio (TiN) para serem usados como eletrodos de porta para tecnologia CMOS (Complementary Metal Oxide Semicon-duc-tor) foram obtidos. Estes filmes ultrafinos foram obtidos através da evaporação por feixe de elétrons de camadas...

Abstract: Ultrathin films (thickness of less than 20 nm) of titanium nitride (TiN) to be used as gate electrodes for CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) technology were obtained. These ultrathin films were obtained by electron beam evaporation of ultrathin layers (1 or 2 nm thick) of...

Formação e caracterização de camadas de TiN para eletrodos metálicos de porta de capacitores MOS

Alisson Soares Garcia


										

Formação e caracterização de camadas de TiN para eletrodos metálicos de porta de capacitores MOS

Alisson Soares Garcia

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