Estudo de defeitos induzidos pela implantação/irradiação de íons em Si(001) por difração de raios-X de n-feixes

Estudo de defeitos induzidos pela implantação/irradiação de íons em Si(001) por difração de raios-X de n-feixes

Guilherme Calligaris de Andrade

DISSERTAÇÃO

Português

T/UNICAMP C134e

[Study of defects induced by ion implantation/irradiation in Si(001) by means of n-beam X-ray diffraction]

Campinas, SP : [s.n.], 2014.

77 f. : il.

Orientadores: Lisandro Pavie Cardoso, Rossano Lang Carvalho

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Física Gleb Wataghin

Resumo: O alto controle e reprodutibilidade envolvidos nas técnicas de implantação e de irradiação iônica fazem com que elas sejam muito utilizadas por permitir modificação estrutural de semicondutores, possibilitando, por exemplo, a geração de defeitos estruturais que atuam como centros de...

Abstract: The high reproducibility and control involved in ion implantation and irradiation techniques, makes them to be widely used to allow structural modification of semiconductors, enabling, for instance, the generation of structural defects that act as radiative recombination centers of...

Estudo de defeitos induzidos pela implantação/irradiação de íons em Si(001) por difração de raios-X de n-feixes

Guilherme Calligaris de Andrade


										

Estudo de defeitos induzidos pela implantação/irradiação de íons em Si(001) por difração de raios-X de n-feixes

Guilherme Calligaris de Andrade

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