Estudo de filmes ultrafinos de óxidos high-K crescidos sobre semicondutores

Estudo de filmes ultrafinos de óxidos high-K crescidos sobre semicondutores

Marcelo Falsarella Carazzolle

TESE

Português

T/UNICAMP C176e

[Study of ultrathin high-K oxide films grown on semiconductors]

Campinas, SP : [s.n.], 2014.

103 p. : il.

Orientadores: Richard Landers, Abner de Siervo

Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Física Gleb Wataghin

Resumo: O descobrimento de novos materiais com alta constante dielétrica e compatível com o atual processo de fabricação de dispositivos CMOS (complementary metal-oxide-semiconductor) tem sido uma grande barreira tecnológica que está impedindo as indústrias de semicondutores a manter o contínuo...

Abstract: The development of alternative high-k gate dielectrics for future complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) devices is indispensable in achieving both low leakage current and small equivalent oxide thickness. The thermal stability of these dielectrics on Si or Ge is a crucial issue to...

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Marcelo Falsarella Carazzolle


										

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