Desenvolvimento de processos de obtenção nanofios de silício para dispositivos MOS 3D utilizando feixe de íons focalizados e litografia por feixe de elétrons

Desenvolvimento de processos de obtenção nanofios de silício para dispositivos MOS 3D utilizando feixe de íons focalizados e litografia por feixe de elétrons

Marcos Vinicius Puydinger dos Santos

DISSERTAÇÃO

Português

T/UNICAMP Sa59d

[Development of process for obtaining silicon nanowires for 3D MOS devices using focused ion beam and electron beam lithography]

Campinas, SP : [s.n.], 2013.

92 p. : il.

Orientador: José Alexandre Diniz

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação

Resumo: Neste trabalho é apresentado o desenvolvimento do processo de obtenção de nanofios de silício (SiNW) para aplicações em dispositivos MOS tridimensionais utilizando as técnicas de Feixe Íons Focalizados com íons de Gálio (GaFIB) e Litografia por Feixe de Elétrons (EBL). O processo completo de...

Abstract: This work presents the development for obtaining silicon nanowires (SiNW) for applications in 3D MOS devices using Focused Ion Beam with gallium ions (GaFIB) and Electron Beam Lithography (EBL) techniques. The complete fabrication process was developed for obtaining junctionless...

Desenvolvimento de processos de obtenção nanofios de silício para dispositivos MOS 3D utilizando feixe de íons focalizados e litografia por feixe de elétrons

Marcos Vinicius Puydinger dos Santos


										

Desenvolvimento de processos de obtenção nanofios de silício para dispositivos MOS 3D utilizando feixe de íons focalizados e litografia por feixe de elétrons

Marcos Vinicius Puydinger dos Santos

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