Análise de desgaste de técnicas de correção de erros em phase-change memories

Análise de desgaste de técnicas de correção de erros em phase-change memories

Caio Hoffman

DISSERTAÇÃO

Português

T/UNICAMP H675a

[Analysis of wear-out of error correction techniques in phase-change memories]

Campinas, SP : [s.n.], 2013.

134 p. : il.

Orientadores: Guido Costa Souza de Araújo, Rodolfo Jardim de Azevedo

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Computação

Resumo: Phase-change memory (PCM) traz novos ensejos para indústria eletrônica. Devido às projeções de alta escalabilidade do processo de fabricação da PCM, cogita-se usá-la como memória principal em sistemas de computação, substituindo à tradicional DRAM cujos problemas de miniaturização do...

Abstract: Phase-change memory brings new opportunities for the electronics industry. Due to projections of high scalability of the fabrication process, PCM is seen as a new main memory in computing systems, replacing the traditional DRAM, whose scale problems require new future technologies that are...

Análise de desgaste de técnicas de correção de erros em phase-change memories

Caio Hoffman


										

Análise de desgaste de técnicas de correção de erros em phase-change memories

Caio Hoffman

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