Orientador: Antonio Carlos Sales Algarte

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin"

Resumo: Desenvolvemos um modelo teórico que descreve a relaxação térmica do Arseneto de Gálio excitado por pulsos ópticos ultra-curtos. Dispensamos atenção especial aos fonons LO, que são tratados de duas maneiras distintas para melhor entendermos suas características dinâmicas. Como resultado, é...

Resumo: Desenvolvemos um modelo teórico que descreve a relaxação térmica do Arseneto de Gálio excitado por pulsos ópticos ultra-curtos. Dispensamos atenção especial aos fonons LO, que são tratados de duas maneiras distintas para melhor entendermos suas características dinâmicas. Como resultado, é possível acompanhar a evolução temporal de portadores e fonons quentes, desde sua geração até sua termalização. Observamos o efeito de "overshoot" da temperatura dos fonons e propomos um novo mecanismo, capaz de descrevê-lo adequadamente

Abstract: We develop a theoretical model for the electronic thermal relaxation in GaAs crystals submitted to ultrashort optical pulses. We give special consideration to the LO phonons, which are treated by means of two distinct approaches in order to provide a better insight of their dynamical...

Abstract: We develop a theoretical model for the electronic thermal relaxation in GaAs crystals submitted to ultrashort optical pulses. We give special consideration to the LO phonons, which are treated by means of two distinct approaches in order to provide a better insight of their dynamical characteristics. As a result, it is possible to follow, step by step, the time evolution of hot carriers and nonequilibrium phonons, since their generation until their thermalization. We observe what is termed a phonon temperature and it is proposed a new mechanism capable to account for its occurrence