Nitrogênio em semicondutores amorfos

Nitrogênio em semicondutores amorfos

Antonio Ricardo Zanatta

TESE

Português

T/UNICAMP Z15n

Campinas, SP : [s.n.], 1995.

105 f. : il.

Orientador: Ivan Emilio Chambouleyron

Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: Neste trabalho estão contidas informações experimentais relativas aos efeitos causados, nas propriedades opto-eletrônicas, pela introdução de nitrogênio em semicondutores amorfos à base de silício e de germânio. Segundo este estudo, tanto a presença de átomos nitrogênio, quanto a sua...

Abstract: This work presents experimental data referring to the effects resulting from the introduction of nitrogen into amorphous silicon and germanium. AlI the samples studied in this work were deposited as thin films using the rf reactive sputtering technique in highly controlled Ar+(H2)+N2...

Nitrogênio em semicondutores amorfos

Antonio Ricardo Zanatta


										

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