Efeito de interface nas propriedades ópticas de pontos quânticos de InP/GaAs

Efeito de interface nas propriedades ópticas de pontos quânticos de InP/GaAs

Tiago Illipronti Girardi

DISSERTAÇÃO

Português

T/UNICAMP G441e

[Interface effect on the optical properties of InP/GaAs quantum dots]

Campinas, SP : [s.n.], 2012.

79 f. : il.

Orientador: Fernando Iikawa

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Física Gleb Wataghin

Resumo: Neste trabalho, estudamos o efeito de diferentes condições de interface de InP/GaAs nas propriedades ópticas de pontos quânticos auto-organizados, crescidos por epitaxia de feixe químico, no modo Stranskii-Krastanov. Espera-se que os pontos quânticos de InP/GaAs apresentem alinhamento de...

Abstract: We studied the effect of different interface conditions on the optical properties of InP/GaAs self-assembled quantum dots grown by chemical beam epitaxy in the Stranskii-Krastanov mode. InP/GaAs quantum dots is expected to present type II band alignment, and only electrons are confined,...

Efeito de interface nas propriedades ópticas de pontos quânticos de InP/GaAs

Tiago Illipronti Girardi


										

Efeito de interface nas propriedades ópticas de pontos quânticos de InP/GaAs

Tiago Illipronti Girardi

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