Caracterização de heteroestruturas InP/GaAs(100) por difração múltipla de raios-X

Caracterização de heteroestruturas InP/GaAs(100) por difração múltipla de raios-X

Luis Humberto Avanci

DISSERTAÇÃO

Português

T/UNICAMP Av15c

Campinas, SP : [s.n.], 1995.

44 f. : il.

Orientador: Lisandro Pavie Cardoso

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: Neste trabalho, os casos de três feixes de superfície (000 200 111) da difração múltipla de raios-X são utilizados de forma inédita, na caracterização de heteroestruturas InP/GaAs(100) crescidas por epitaxia de feixe molecular com fonte gasosa (GSMBE). Um programa desenvolvido para a...

Abstract: Not informed

Caracterização de heteroestruturas InP/GaAs(100) por difração múltipla de raios-X

Luis Humberto Avanci


										

Caracterização de heteroestruturas InP/GaAs(100) por difração múltipla de raios-X

Luis Humberto Avanci

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