Análise da dimensionalidade do emissor de um diodo de tunelamento ressonante

Análise da dimensionalidade do emissor de um diodo de tunelamento ressonante

Pablo Hector Rivera Riofano

DISSERTAÇÃO

Português

T/UNICAMP R524a

Campinas, SP : [s.n.], 1994.

69f. : il.

Orientador: Peter A. B. Schulz

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: Neste trabalho discutimos a influência da formação de um gás bidimensional na interface emissor-barreira sobre a densidade de corrente de um diodo de tunelamento ressonante de dupla barreira de GaAs-A1GaAs. A formação desse gás bidimensional em função da voltagem aplicada ocorre em...

Abstract: We discuss the influence of formation of a 2DG at the emitter-barrier interface on the evaluation of the characteristics of a GaAs-AIGaAs double-barrier quantum well resonant tunneling diode. The formation of a 2DG in function of applied voltage happens in diodes with GaAs undoped spacer...

Análise da dimensionalidade do emissor de um diodo de tunelamento ressonante

Pablo Hector Rivera Riofano


										

Análise da dimensionalidade do emissor de um diodo de tunelamento ressonante

Pablo Hector Rivera Riofano

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