Estudo da distribuição da temperatura em encapsulamentos de dispositivos MOSFET utilizando simulação por métodos de elementos finitos

Estudo da distribuição da temperatura em encapsulamentos de dispositivos MOSFET utilizando simulação por métodos de elementos finitos

Filipe Dias Baumgratz

DISSERTAÇÃO

Português

T/UNICAMP B327e

[Study about temperature distribution in a MOSFET device package using finite element method simulation]

Campinas, SP : [s.n.], 2011.

81 f. : il.

Orientador: Marco Antônio Robert Alves

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação

Resumo: O transistor MOSFET teve uma evolução muito grande desde sua invenção até os dias de hoje. As dimensões foram reduzidas, a capacidade de integração de componentes e frequência de operação aumentaram, como consequência desta evolução houve um aumento da potência dissipada pelos circuitos...

Abstract: The transistor had a great evolution since its invention until today. The dimensions were reduced, the components integration and operating frequency increased, a result of these developments is higher power dissipation in integrated circuits. This work use finite element method simulation...

Estudo da distribuição da temperatura em encapsulamentos de dispositivos MOSFET utilizando simulação por métodos de elementos finitos

Filipe Dias Baumgratz


										

Estudo da distribuição da temperatura em encapsulamentos de dispositivos MOSFET utilizando simulação por métodos de elementos finitos

Filipe Dias Baumgratz

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