Dopagem tipo-p de filmes de germânio amorfo hidrogenado

Dopagem tipo-p de filmes de germânio amorfo hidrogenado

Fabio Enrique Fajardo Tolosa

TESE

Português

T/UNICAMP T587d

Campinas, SP : [s.n.], 1994.

144 f. : il.

Orientador: Ivan Emilio Chambouleyron

Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: Neste trabalho é apresentado um estudo dos efeitos da incorporação de In, Ga e AI nas propriedades optoeletrônicas dos filmes de germânio amorfo hidrogenado (a-Ge:H). Os filmes dopados de a-Ge:H foram preparados pelo co-sputtering de pequenas quantidades das espécies dopantes (In, Ga ou AI)...

Abstract: In this work a study of the effects of In, Ga and AI incorporation in the structural and optoelectronic properties of a-Ge:H films is presented. The doped a-Ge:H films were prepared by co-sputtering minute amounts of the dopant species (In, Ga or AI) with a c-Ge target in Ar+H2...

Dopagem tipo-p de filmes de germânio amorfo hidrogenado

Fabio Enrique Fajardo Tolosa


										

Dopagem tipo-p de filmes de germânio amorfo hidrogenado

Fabio Enrique Fajardo Tolosa

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