Orientador: Lucila Helena Deliesposte Cescato

Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas. Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: A evolução da textura produzida fotoeletroquimicamente em superfícies semicondutoras de n-InP (100) foi estudada utilizando várias técnicas. Este tipo de ataque forma microestruturas alongadas, que são analisadas por Microscopia Eletrônica de Varredura e medidas de Espalhamento Óptico, cuja...

Resumo: A evolução da textura produzida fotoeletroquimicamente em superfícies semicondutoras de n-InP (100) foi estudada utilizando várias técnicas. Este tipo de ataque forma microestruturas alongadas, que são analisadas por Microscopia Eletrônica de Varredura e medidas de Espalhamento Óptico, cuja geometria e dimensão dependem do tempo de ataque. A rugosidade gerada na superfície aumenta fortemente a absorção na amostra. Este comportamento foi observado pelas medidas de refletância total integrada e medidas de curvas I x V, utilizadas para acompanhar o aumento da fotocorrente durante o ataque fotoeletroquímico. Foi construído um sistema para medidas de espalhamento angularmente resolvido (ARS). Os espectros de ARS, associados à teoria vetorial de espalhamento, possibilitam calcular a função autocorrelação da superfície. Esta função, fornece o valor da rugosidade média (drms) das microestruturas e sua oscilação exibe as características quase-periódicas das estruturas superficiais

Abstract: The evolution of photoelectrochemically produced textures on n-InP (100) surfaces was studied by various techniques. Such etching results in the formation of elongated etch pits which were analysed using Scanning Electron Microscopy and Optical Scattering, and whose geometries and...

Abstract: The evolution of photoelectrochemically produced textures on n-InP (100) surfaces was studied by various techniques. Such etching results in the formation of elongated etch pits which were analysed using Scanning Electron Microscopy and Optical Scattering, and whose geometries and dimensions depend on the time of the attack. The reflectivity of the sample surface was found to decrease due to roughening of the surface, and this was measured using a total integrated reflection device. I x V measurements were also utilized in order to follow the increase in the photocurrent during the photoelectrochemical etching. A system for measuring angular resolved scattering was constructed. By using the vector scattering theory, the autocorrelation function was obtained. This function furnishes the route mean square roughness (drms) of the surface microstructures, and the oscillation of the function exhibts the quasi-periodic character of the surface structures