Desenvolvimento de processos de eletrodos de porta (TaN e TiN) para dispositivos MOS

Desenvolvimento de processos de eletrodos de porta (TaN e TiN) para dispositivos MOS

Lucas Petersen Barbosa Lima

DISSERTAÇÃO

Português

T/UNICAMP L628d

[Process development of gate electrodes (TiN and TaN) for MOS devices]

Campinas, SP : [s.n.], 2011.

142 p. : il.

Orientador: José Alexandre Diniz

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação

Resumo: Filmes de nitreto de titânio (TiN) e nitreto de tântalo (TaN) foram depositados sobre substratos de Si (100) utilizando um sistema de sputtering reativo, com diferentes fluxos de N2 (10-80 sccm) e potência (500-1500W), em ambiente de N2/Ar. Foram analisadas as influências da mistura gasosa...

Abstract: Tantalum nitride (TaN) and titanium nitride (TiN) films have been obtained by DC sputtering, using different nitrogen flow (10 - 80 sccm) and power (500 - 1500 W), in a nitrogen (N2)/argon (Ar) ambient on Si (100) substrates. The N2/Ar ratio in gas mixture and power effects on structural...

Desenvolvimento de processos de eletrodos de porta (TaN e TiN) para dispositivos MOS

Lucas Petersen Barbosa Lima


										

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