Analise dos principais parametros e projeto de uma celula de um transitor DMOS vertical de potencia
DISSERTAÇÃO
Português
(Broch.)
T/UNICAMP N689a
Campinas, SP : [s.n.], 1994.
[187] f. : il.
(Publicação FEE)
Orientador: Wilmar Bueno de Moraes
Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica
Resumo: Os principais parâmetros de uma célula de um transistor VDMOS de potência são: a tensão de transição, a tensão de ruptura, a resistência de condução e as capacitâncias parasitárias que surgem na estrutura. Apresenta-se a conceituação teórica destes parâmetros, bem como modos de otimizar seus...
Resumo: Os principais parâmetros de uma célula de um transistor VDMOS de potência são: a tensão de transição, a tensão de ruptura, a resistência de condução e as capacitâncias parasitárias que surgem na estrutura. Apresenta-se a conceituação teórica destes parâmetros, bem como modos de otimizar seus valores. Desta forma, um modelo tridimensional para a difusão térmica é discutido e outros fenômenos que influenciam tal difusão são analisados. Técnicas de terminação de junções são ilustradas. Finalmente é apresentado um procedimento de projeto e sua otimização
Abstract: Not informed.
Analise dos principais parametros e projeto de uma celula de um transitor DMOS vertical de potencia
Analise dos principais parametros e projeto de uma celula de um transitor DMOS vertical de potencia
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