Uma contribuição ao desenvolvimento tecnologico : a caracterização e ao estudo da confiabilidade de fotodetectores pin em "In IND. 0,53""Ga IND. 0,47"As/InP
DISSERTAÇÃO
Português
(Broch.)
T/UNICAMP P414c
Campinas, SP : [s.n.], 1993.
[111] f. : il -.
(Publicação FEE)
Orientador: Edson Moschim
Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica
Resumo: Neste trabalho apresentamos uma revisão da tecnologia de fabricação das estruturas mesa e planar, para fotodetectores pin. Propomos uma estrutura, mesa coberta, e desenvolvemos um modelo para analisar suas características. Resultados experimentais obtidos da fabricação de vários "wafers" de...
Resumo: Neste trabalho apresentamos uma revisão da tecnologia de fabricação das estruturas mesa e planar, para fotodetectores pin. Propomos uma estrutura, mesa coberta, e desenvolvemos um modelo para analisar suas características. Resultados experimentais obtidos da fabricação de vários "wafers" de fotodectores mostraram boa concordância com os resultados calculados. Analisamos a confiabilidade através de testes de vida acelerado e os resultados encontrados são comparáveis aos melhores da literatura. Apresentamos resultados de aplicação destes fotodetectores em receptores ópticos e dispositivos para interconexão óptica
Abstract: This work presents a resume of the photodiode fabrication technology. It describes the covered mesa structure and presents a dynamic and static model to estimate device's performance. Experimental results show good agreement with models. From the accelerated life test we observe that the...
Abstract: This work presents a resume of the photodiode fabrication technology. It describes the covered mesa structure and presents a dynamic and static model to estimate device's performance. Experimental results show good agreement with models. From the accelerated life test we observe that the reliability is comparable to the best published. This document shows the characteristics of optical receiver made with these photodiodes and the characteristics of linear array of coverd mesa pin photodiodes