Fotodeposição de ouro sobre silicio induzida a laser
Ana Katia de Mesquita Braga
DISSERTAÇÃO
Português
T/UNICAMP B73f
Campinas, SP : [s.n.], 1992.
[122]f. : il.
Orientador: Vitor Baranauskas
Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica
Resumo: Estudamos a foto deposição de ouro a partr 'da solução de HAuCl4 soble lâminas de sillcio t.ipo p, induzida pOI' lasel' de HeNe (632.8nrn). Obsel'vamos que o depósit.o ocol'l'e pl'incipabnent.e pela
exclt.ação da int.el'f'ace semicondut.ol'-elet.l'ólit.o, com os f'ót.ons :;el'ando elét.l'ons... Ver mais Resumo: Estudamos a foto deposição de ouro a partr 'da solução de HAuCl4 soble lâminas de sillcio t.ipo p, induzida pOI' lasel' de HeNe (632.8nrn). Obsel'vamos que o depósit.o ocol'l'e pl'incipabnent.e pela
exclt.ação da int.el'f'ace semicondut.ol'-elet.l'ólit.o, com os f'ót.ons :;el'ando elét.l'ons na banda de condução e t.1'ans:f'el'lndop-aorsa a + - o I'eação Au (a.q> + 1e .. Au (so>. A mOI'f'olo:;iados f'ilrnes foi ident.if'icada pOI' Micl'oscopia Elet.I'Ónica de Varl'edur-a (SEM) e Micl'oscopia de FOl'ça At.ômica (AFM) . Em deposições com a pot.ência do lasel' f'ocalizada ent.l'e 80J.lm~ 2ta.1O~ 240J.lmnot.amos que, na I'e:;iãcoent.l'alo,s át.omos de Au t.endem a deposit.ar-se na fOl'ma cl'ist.alina, com pl'ef'el'enciabnent.e na dil'eção vel't.ical. Nas I'e:;iões :;I'ãos não t.endem a coalescel' pois a mobilidade depósi t.os é muit.o baixa. cl'esciment.o lat.el'ais lat.el'aJ os dos Obsel'vou-se a ocol'l'ência de uma espessur-a limit.e em t.ol'no de 0.9 - 1.0 J.lm,que é at.in:;ida após apl'oximadament.e 5 min de exposição. A :;l'anulomet.l'iamédia da deposição na I'e:;ião cent.ral do feixe é da ol'demde 400 - 900 nrn Ver menos
exclt.ação da int.el'f'ace semicondut.ol'-elet.l'ólit.o, com os f'ót.ons :;el'ando elét.l'ons... Ver mais Resumo: Estudamos a foto deposição de ouro a partr 'da solução de HAuCl4 soble lâminas de sillcio t.ipo p, induzida pOI' lasel' de HeNe (632.8nrn). Obsel'vamos que o depósit.o ocol'l'e pl'incipabnent.e pela
exclt.ação da int.el'f'ace semicondut.ol'-elet.l'ólit.o, com os f'ót.ons :;el'ando elét.l'ons na banda de condução e t.1'ans:f'el'lndop-aorsa a + - o I'eação Au (a.q> + 1e .. Au (so>. A mOI'f'olo:;iados f'ilrnes foi ident.if'icada pOI' Micl'oscopia Elet.I'Ónica de Varl'edur-a (SEM) e Micl'oscopia de FOl'ça At.ômica (AFM) . Em deposições com a pot.ência do lasel' f'ocalizada ent.l'e 80J.lm~ 2ta.1O~ 240J.lmnot.amos que, na I'e:;iãcoent.l'alo,s át.omos de Au t.endem a deposit.ar-se na fOl'ma cl'ist.alina, com pl'ef'el'enciabnent.e na dil'eção vel't.ical. Nas I'e:;iões :;I'ãos não t.endem a coalescel' pois a mobilidade depósi t.os é muit.o baixa. cl'esciment.o lat.el'ais lat.el'aJ os dos Obsel'vou-se a ocol'l'ência de uma espessur-a limit.e em t.ol'no de 0.9 - 1.0 J.lm,que é at.in:;ida após apl'oximadament.e 5 min de exposição. A :;l'anulomet.l'iamédia da deposição na I'e:;ião cent.ral do feixe é da ol'demde 400 - 900 nrn Ver menos
Fotodeposição de ouro sobre silicio induzida a laser
Ana Katia de Mesquita Braga
Fotodeposição de ouro sobre silicio induzida a laser
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