Efeito da exitação no espectro de emissão de múltiplos poços quanticos (GaAs/ALxGa1-xAs) com dopagem modulada

Efeito da exitação no espectro de emissão de múltiplos poços quanticos (GaAs/ALxGa1-xAs) com dopagem modulada

Flavio Orlando Plentz Filho

DISSERTAÇÃO

Português

T/UNICAMP P713e

Campinas, SP : [s.n.], 1988.

[64] f. : il.

Orientador: Eliermes Arraes Meneses

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: Neste trabalho nós estudamos o espectro de fotoluminescência de uma estrutura de Múltiplos Poços Quânticos com Dopagem Modulada Assimétrica (AlxGa1-xAs/GaAs). Quando a amostra é excitada por um laser de Kr+ o espectro exibe apenas uma linha proveniente dos poços de GaAs, a qual tem uma...

Abstract: We have studied the photoluminescence of a GaAs/AlxGa1-xAs Asymmetric Modulation Doped Multiple Quantum Well (AMDMQW) structure. The spectra show an emission line at 1.526 eV, when the sample is excited by Kr+ laser, which corresponds to a transition in the Wells. Under similar excitation...

Efeito da exitação no espectro de emissão de múltiplos poços quanticos (GaAs/ALxGa1-xAs) com dopagem modulada

Flavio Orlando Plentz Filho


										

Efeito da exitação no espectro de emissão de múltiplos poços quanticos (GaAs/ALxGa1-xAs) com dopagem modulada

Flavio Orlando Plentz Filho

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