Diagrama Renninger com radiação de freamento de elétrons e síncrotron no estudo de estruturas heteroepitaxiais

Diagrama Renninger com radiação de freamento de elétrons e síncrotron no estudo de estruturas heteroepitaxiais

Jose Marcos Sasaki

TESE

Português

T/UNICAMP Sa78d

Campinas, SP : [s.n.], 1993.

[106] f. : il.

Orientador: Lisandro Pavie Cardoso

Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: Neste trabalho, estruturas heteroepitaxiais semicondutoras foram estudadas através de diagramas Renninger obtidos com radiação de freamento de elétrons e radiação síncroton. Na simulação dos diagramas Renninger, o programa MULTX, que usa o método iterativo para o cálculo de intensidades em...

Abstract: In this work, Renninger scans obtained with Bremsstrahlung and synchrotron radiation were used to study semiconductor heteroepitaxial structures. The program MULTX was implemented to provide Renninger scan simulations and it is based on the iterative method to calculate X-ray multiple...

Diagrama Renninger com radiação de freamento de elétrons e síncrotron no estudo de estruturas heteroepitaxiais

Jose Marcos Sasaki


										

Diagrama Renninger com radiação de freamento de elétrons e síncrotron no estudo de estruturas heteroepitaxiais

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