Orientadores: Roberto T. Assumpção, Annette Gorenstein

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Mecanica

Resumo: Filmes de Óxido de indio dopado com estanho (ITO) foram preparados pela técnica de sputtering RF reativo. Os fi lmes, foram caracterizados no que concerne: propriedades elétricas (resistência de folha, resistividade-dc, concentração de portadores e mobilidade de Hall) , propriedades ópticas...

Resumo: Filmes de Óxido de indio dopado com estanho (ITO) foram preparados pela técnica de sputtering RF reativo. Os fi lmes, foram caracterizados no que concerne: propriedades elétricas (resistência de folha, resistividade-dc, concentração de portadores e mobilidade de Hall) , propriedades ópticas (transmitância e refletância em função do comprimento de onda) , difração de raios-X e microscopia eletrônica de varredura. Sob ótimas condições de deposição foram obtidos filmes com uma resistência de folha de 4,20/0, resistividade elétrica de 1.23x10-40-cm com uma transmitância visivel melhor que 87% (O, 55um) e refletividade infravermelha ao redor de 80% (2,5um)

Abstract: Tin-doped Indium Oxide (ITO) films were prepared by the, reactive RF sputtering technique. The films were characterized concerning: electrical properties (sheet resistance, dc-resistivity, carrier concentration and Hall mobility), optical properties (transmittance and reflectance as a...

Abstract: Tin-doped Indium Oxide (ITO) films were prepared by the, reactive RF sputtering technique. The films were characterized concerning: electrical properties (sheet resistance, dc-resistivity, carrier concentration and Hall mobility), optical properties (transmittance and reflectance as a function of wavelength), X-ray diffraction and scanning electron microscopy. Under optimum deposition conditions, films with sheet resistance of 4,20/0, electrical resistivity of 1.23x10-40-cm with a visual transmittance better than 87% (0,55um) and infrared reflectivity above 80% (2,5um) were obtained.