Estudo das transições eletrônicas tipo E0 e tipo E1 em superredes de Ge/Si utilizando eletrorreflectância e fotorreflectância

Estudo das transições eletrônicas tipo E0 e tipo E1 em superredes de Ge/Si utilizando eletrorreflectância e fotorreflectância

Pedro Augusto Matos Rodrigues

TESE

Português

T/UNICAMP R618e

Campinas, SP : [s.n.], 1993.

103f. : il.

Orientador: Fernando Cerdeira

Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: Nós utilizamos eletrorreflectância e fotorreflectância para estudar as transições tipo E0 e tipo El em heteroestruturas tensionadas de Ge/Si com parâmetros estruturais ( espessura das camadas, perfil de tensões e número de camadas de cada material) num amplo intervalo. Nossos resultados...

Abstract: We have used eletroreflectance and photoreflectance to study the E0 and E1 electronic transitions in Ge/Si strained layer heterostructures with a broad range of structural parameters (layers thicknesses, profile of strains and number of layers). Our results show that, although the...

Estudo das transições eletrônicas tipo E0 e tipo E1 em superredes de Ge/Si utilizando eletrorreflectância e fotorreflectância

Pedro Augusto Matos Rodrigues


										

Estudo das transições eletrônicas tipo E0 e tipo E1 em superredes de Ge/Si utilizando eletrorreflectância e fotorreflectância

Pedro Augusto Matos Rodrigues

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