Orientador : Jacobus Wilibrordus Swart

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica

Resumo: Este trabalho visa criar um elo entre processos e projetos de Circuitos Integrados e Dispositivos no
Laboratório de Pesquisa e Dispositivos. Na área referente a processos, o Laboratório de Pesquisa e Dispositivos vem desenvolvendo a técnica de "Difusão de Enxofre em Arseneto de Gálio por...

Resumo: Este trabalho visa criar um elo entre processos e projetos de Circuitos Integrados e Dispositivos no
Laboratório de Pesquisa e Dispositivos. Na área referente a processos, o Laboratório de Pesquisa e Dispositivos vem desenvolvendo a técnica de "Difusão de Enxofre em Arseneto de Gálio por Processamento Térmico Rápido" e obtendo
dispositivos básicos. Dessa forma a partir deste trabalho foram extraidos os parâmetros Spice dos dispositivos em Arseneto de Gálio que vem sendo processados tanto desenvolvemos no Laboratório 39 do LPD. Para um programa de extração
(Statz de parâmetros para o modelo de Raytheon et aI.) , utilizado em SPICE3D2 (UCBerkeley). Obtivemos ajustes das curvas caracteristicas experimentais e de modelo com erro menor que 4%. Juntamente com estes parâmetros foram escritos
arquivos de tecnologia, que são regras de projetos para o desenho de novos circuitos. Foi desenvolvido um "chipteste" contendo dispositivos e circuitos, com finalidade de se extrair parâmetros e testar a performance de cada um dos circuitos

Abstract: The intent of the thesis. "A Contribution to Integrated Circuit Projects With GaAs MESFET", is to obtain a relationship between the Research on Devices laboratory (lPD) GaAs process and the integrated circuits develop using this process.
The LPD develops integrated circuits using the...

Abstract: The intent of the thesis. "A Contribution to Integrated Circuit Projects With GaAs MESFET", is to obtain a relationship between the Research on Devices laboratory (lPD) GaAs process and the integrated circuits develop using this process.
The LPD develops integrated circuits using the "Rapid Thermal Diffusion of Sulphur in GaAs". The SPICE parameters of the GaAs devices (depletion transistors), made using this process, was extracted. A computer program was developed, that takes as input the carachteristics' curves of a device and gives as output the SPICE parameters according to the Raytheon Model (Statz et aI.). This model is used in the SPICE3-D2 (and upgraded version) developed by UC-Berkeley. We have obtained
the experimental characteristics' curves fit with that of the medel with an errer les5 than 4%. We have, also written the technology file/design rules for MAGIC-6.3, for the LPD diffusion process. Using MAGIC we have developed a test chip
("chipteste") with devices and circuits. These devices will be used to extract parameters that will contribute to the fine tuning of the model and the LPD process