Aplicação do método Monte Carlo ao estudo da corrente induzida por feixe eletrônico em dispositivos semicondutores
DISSERTAÇÃO
Português
T/UNICAMP W388a
Campinas, SP : [s.n.], 1987.
100f. : il.
Orientador: Carlos Alberto Ribeiro
Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin
Resumo: Simulamos a corrente induzida por feixe eletrônico para um diodo e um laser de heteroestrutura dupla pela técnica de simulação Monte Carlo. Obtemos pelo método Monte Carlo uma distribuição de energia caraterística com a qual calculamos a produção e difusão dos portadores minoritários e a sua...
Resumo: Simulamos a corrente induzida por feixe eletrônico para um diodo e um laser de heteroestrutura dupla pela técnica de simulação Monte Carlo. Obtemos pelo método Monte Carlo uma distribuição de energia caraterística com a qual calculamos a produção e difusão dos portadores minoritários e a sua coleção pela junção. Desta forma é possível estimar o comprimento de difusão nos dispositivos. A ferramenta produzida possibilita uma nova abordagem dos fenômenos caraterísticos nos dispositivos semicondutores analisados por um microscópio eletrônico de varredura
Abstract: We simulate the electron beam induced current for a diode and a double heterostructure laser with a Monte Carlo simulation technique. We obtain by this simulation 'method¿ a characteristic energy distribution by which we calculate minority carrier production, diffusion and collection al...
Abstract: We simulate the electron beam induced current for a diode and a double heterostructure laser with a Monte Carlo simulation technique. We obtain by this simulation 'method¿ a characteristic energy distribution by which we calculate minority carrier production, diffusion and collection al the junction. By this way it is possible to us to make an estimative for the carrier diffusion length in semiconductor devices analyzed by a scanning electron microscope
Aplicação do método Monte Carlo ao estudo da corrente induzida por feixe eletrônico em dispositivos semicondutores
Aplicação do método Monte Carlo ao estudo da corrente induzida por feixe eletrônico em dispositivos semicondutores
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