Caracterização de defeitos em semicondutores atraves de microscopia eletronica de varredura

Caracterização de defeitos em semicondutores atraves de microscopia eletronica de varredura

Roberto de Toledo Assunpção

TESE

Português

T/UNICAMP As79c

Campinas, SP : [s.n.], 1988.

252f.

Orientador: Antonio Celso Fonseca de Arruda

Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas

Resumo: Este trabalho utiliza o Microscópio Eletrônico de Varredura (M.E.V) para o estudo de defeitos em materiais e dispositivos semicondutores. A operação do M.E.V. nos modos Catodoluminescência (CL) e coleção de carga ou EBIC (Electron Beam Induced Conductivity) permite caracterização precisa de...

Abstract: The scanning Electron Microscope (S.E.M.) is an extremely versatile instrument wich can be applied for the characterization of a variety of materials, including metallic, ceramic and semiconductor specimens. I the latter case the energy band of semiconductor materials enables he operation...

Caracterização de defeitos em semicondutores atraves de microscopia eletronica de varredura

Roberto de Toledo Assunpção


										

Caracterização de defeitos em semicondutores atraves de microscopia eletronica de varredura

Roberto de Toledo Assunpção

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