Influencia da ionicidade em niveis de energia de semicondutores com estrutura zinc-blende : aplicação ao InSb
Ana Maria Hildsdorf Marotta
DISSERTAÇÃO
Português
T/UNICAMP M347i
Campinas, SP : [s.n.], 1975.
76 f. : il.
Orientador: Nelson de Jesus Parada
Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin
Resumo: Neste trabalho foram calculados os níveis de energia eletrônicos do InSb pelo método APW. Inicialmente pelo método APW não relativístico, foram calculados os níveis de energia no ponto G, juntamente com as funções de onda, considerándo-se os átomos de In e Sb neutros. Depois, verificou-se...
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Resumo: Neste trabalho foram calculados os níveis de energia eletrônicos do InSb pelo método APW. Inicialmente pelo método APW não relativístico, foram calculados os níveis de energia no ponto G, juntamente com as funções de onda, considerándo-se os átomos de In e Sb neutros. Depois, verificou-se como as correções relativísticas afetavam os resultados obtidos. Posteriormente, considerando-se aparte iônica da ligação do InSb, recalculou-se os níveis de energia partindo-se de íons de In- e Sb+. Os resultados obtidos deixam antever a necessidade da introdução da ionicidade no cálculo do potencial cristalino, de correções à forma do potencial muffin-tin, bem como de um cálculo de níveis de energia autoconsistente
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Abstract: Not informed
Influencia da ionicidade em niveis de energia de semicondutores com estrutura zinc-blende : aplicação ao InSb
Ana Maria Hildsdorf Marotta
Influencia da ionicidade em niveis de energia de semicondutores com estrutura zinc-blende : aplicação ao InSb
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