Influencia da ionicidade em niveis de energia de semicondutores com estrutura zinc-blende : aplicação ao InSb

Influencia da ionicidade em niveis de energia de semicondutores com estrutura zinc-blende : aplicação ao InSb

Ana Maria Hildsdorf Marotta

DISSERTAÇÃO

Português

T/UNICAMP M347i

Campinas, SP : [s.n.], 1975.

76 f. : il.

Orientador: Nelson de Jesus Parada

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: Neste trabalho foram calculados os níveis de energia eletrônicos do InSb pelo método APW. Inicialmente pelo método APW não relativístico, foram calculados os níveis de energia no ponto G, juntamente com as funções de onda, considerándo-se os átomos de In e Sb neutros. Depois, verificou-se...

Abstract: Not informed

Influencia da ionicidade em niveis de energia de semicondutores com estrutura zinc-blende : aplicação ao InSb

Ana Maria Hildsdorf Marotta


										

Influencia da ionicidade em niveis de energia de semicondutores com estrutura zinc-blende : aplicação ao InSb

Ana Maria Hildsdorf Marotta

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