Variação da resistividade elétrica de um filme fino devido à difusão de impurezas
DISSERTAÇÃO
Português
T/UNICAMP As79v
Campinas, SP : [s.n.], 1980.
78 f. : il.
Orientador: Michael Moore Collver
Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin
Resumo: A variação da condutividade elétrica de um filme fino metálico, quando este apresenta um gradiente de concentração de impurezas, é obtida numericamente.
Utilizamos o tratamento de Fuchs-Sondheimer, que consiste em resolver a equação de Boltzmann com condições de contorno determinadas...
Resumo: A variação da condutividade elétrica de um filme fino metálico, quando este apresenta um gradiente de concentração de impurezas, é obtida numericamente.
Utilizamos o tratamento de Fuchs-Sondheimer, que consiste em resolver a equação de Boltzmann com condições de contorno determinadas pelas limitações geométricas impostas pelas superfícies ao movimento dos elétrons.
O efeito das impurezas (presentes no filme devido a um processo de difusão) é incluído diretamente na equação de Boltzmann através de um tempo de relaxação variável, que depende da concentração local das impurezas
Abstract: The change of thin metallic film electrical conductivity with a impurity concentration gradient is numerically obtained.
We use the Fuchs-Sondheimer approach to solve the Boatsmann equation, introducing boundary conditions imposed by the external surfaces.
The effect of impurities,...
Abstract: The change of thin metallic film electrical conductivity with a impurity concentration gradient is numerically obtained.
We use the Fuchs-Sondheimer approach to solve the Boatsmann equation, introducing boundary conditions imposed by the external surfaces.
The effect of impurities, wich diffuse into the film from it's surface, is included directly in Boatsmann equation trough a variable relaxation time, that depends on the local impurity concentration