Orientador: Ross Alan Douglas

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: O crescimento de camadas superficiais sobre uma amostra de chumbo, exposta a oxigênio com vapor d'água à temperatura ambiente, foi observado pela técnica ESCA. As linhas 4f5/2,7/2 foram desdobradas em uma componente devido ao metal e mais duas componentes, uma das quais tendo deslocamento...

Resumo: O crescimento de camadas superficiais sobre uma amostra de chumbo, exposta a oxigênio com vapor d'água à temperatura ambiente, foi observado pela técnica ESCA. As linhas 4f5/2,7/2 foram desdobradas em uma componente devido ao metal e mais duas componentes, uma das quais tendo deslocamento químico igual a 1,25 eV, e a outra, 2,05 eV. A coleta de dados realizada sob ângulos de emissão de elétrons secundários iguais a 20°, 45° e 75° mostrou que, dessas duas componentes, a de menor deslocamento químico está localizada mais internamente. Também há evidências de uma camada fina (» 2A) perto da superfície com deslocamento químico aproximadamente nulo. Utilizando-se de um modelo de filme uniforme, formado por camadas planas superpostas, determinou-se a espessura destas camadas, em função da exposição da amostra ao oxigênio. A coleta de dados, após exposição da amostra ao oxigênio e após diferentes intervalos de tempo de sua permanência em vácuo (~ 1x10-6 Torr), permitiu verificar alterações nas espessuras das camadas do filme. Observou-se que os elétrons Auger M4N67N67 e M5N67N67 apresentam deslocamento químico (~ 4 eV) quando provenientes do chumbo oxidado. São comparados os valores da espessura do óxido pelas determinações a partir de dados de fotoelétrons e de elétrons Auger. Verificou-se que, o crescimento do óxido pode ser descrito pela lei inversa logarítmica, deduzida por Cabrera-Mott

Abstract: Not informed