Orientador: Fernando Alvarez

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: O nitreto de silício amorfo hidrogenado não estequiométrico (a-SiNx:H) tem sido estudado nos últimos anos, tendo em vista suas possíveis aplicações em dispositivos fotovoltáicos, em diversos laboratórios em todo o mundo. No presente trabalho apresentamos os resultados de medidas da...

Resumo: O nitreto de silício amorfo hidrogenado não estequiométrico (a-SiNx:H) tem sido estudado nos últimos anos, tendo em vista suas possíveis aplicações em dispositivos fotovoltáicos, em diversos laboratórios em todo o mundo. No presente trabalho apresentamos os resultados de medidas da fotocondutividade em função da temperatura e da intensidade luminosa em material preparado por descarga luminescente (glow discharge) a partir de uma mistura de nitrogênio e silano. As medidas foram feitas com excitação monocromática de um laser de He:Ne com hn = 1.96eV utilizando-se o método de detecção em fase. Temperaturas entre 120 e 340K e fluxos de fótons entre 6x1011 e 6x1013 cm-2 s-1 foram usados. Estudamos também amostras dopadas com boro e com fósforo. Os resultados experimentais nos permitiram identificar um pico na densidade de estados no gap entre o nível de Fermi e a banda de condução ligado ã presença de nitrogênio na rede, com seção de captura para elétrons menor do que a dos estados no gap em material não nitrogenado. Também constatamos a presença de armadilhas profundas para lacunas entre o nível de Fermi e a banda de valência

Abstract: The off-stoichiometric amorphous hydrogenated silicon nitride (a-SiNx:H) has been studied in the last few years due to its possible applications in photovoltaic devices in many laboratories in the world. In the present work we present the results of measurements of photoconductivity versus...

Abstract: The off-stoichiometric amorphous hydrogenated silicon nitride (a-SiNx:H) has been studied in the last few years due to its possible applications in photovoltaic devices in many laboratories in the world. In the present work we present the results of measurements of photoconductivity versus temperature and light intensity in material prepared by glow discharge from a mixture of N2 and SiH4. The measurements were done with monochromatic excitation from a He:Ne laser with hn = 1.96eV using the detection in phase method. Temperatures between 120 and 340K and photon fluxes between 6x1011 and 6x1013 cm-2 s-1 were used. We also studied boron doped and phosphorus doped samples. The experimental results allowed us to identify a peak in the density of states in the gap between the Fermi-level and the conduction band due to the presence of nitrogen in the network with a capture cross section for electrons smaller than the one of the state in the gap in non-nitrogenated material. We also detected the presence of deep hole traps between the Fermi-level and the valence band