Fotocondutividade no nitreto de silício amorfo hidrogenado não estequiométrico

Fotocondutividade no nitreto de silício amorfo hidrogenado não estequiométrico

Leandro Russovski Tessler

DISSERTAÇÃO

Português

T/UNICAMP T286f

Campinas, SP : [s.n.], 1985.

56 f. : il.

Orientador: Fernando Alvarez

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: O nitreto de silício amorfo hidrogenado não estequiométrico (a-SiNx:H) tem sido estudado nos últimos anos, tendo em vista suas possíveis aplicações em dispositivos fotovoltáicos, em diversos laboratórios em todo o mundo. No presente trabalho apresentamos os resultados de medidas da...

Abstract: The off-stoichiometric amorphous hydrogenated silicon nitride (a-SiNx:H) has been studied in the last few years due to its possible applications in photovoltaic devices in many laboratories in the world. In the present work we present the results of measurements of photoconductivity versus...

Fotocondutividade no nitreto de silício amorfo hidrogenado não estequiométrico

Leandro Russovski Tessler


										

Fotocondutividade no nitreto de silício amorfo hidrogenado não estequiométrico

Leandro Russovski Tessler

    Exemplares