Espalhamento Raman por elétrons e buracos em GaAs
Reiko Sato Turtelli
TESE
Português
T/UNICAMP T869e
Campinas, SP : [s.n.], 1977.
90 f. : il.
Orientadores: Rogério Cézar de Cerqueira Leite, Antonio Rubens Britto de Castro
Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin
Resumo: Neste trabalho mediu-se o espalhamento de luz por plasmas e por fonons ópticos foto-excitádos em várias amostras de GaiAs usando radiação infra-vermelha do laser de Nd:YAG. O mesmo feixe era utilizado para excitar o plasma e para medir o espalhamento Raman. Foram obsevadas distribuições não...
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Resumo: Neste trabalho mediu-se o espalhamento de luz por plasmas e por fonons ópticos foto-excitádos em várias amostras de GaiAs usando radiação infra-vermelha do laser de Nd:YAG. O mesmo feixe era utilizado para excitar o plasma e para medir o espalhamento Raman. Foram obsevadas distribuições não equitibradas de elétrons e buracos mas não se pode verificar nenhuma variação na relação das componentes Stokes e anti-Stokes atribuível a distribuições não equilibradas de fónons ópticos longitudinais, em condições de alta intensidade de excitação. Calculou-se a secção de choque de espalhamento no plasma duplo de elétrons e buracos não equilibrados usando o conceito de quase-partículas de Landau. A não homogeneidade do feixe do laser no interior do cristal foi levada em conta. Este cálculo permitiu estimar a densidade de portadores foto-excitados nas amostras de alta resistividade, analisando-se os desvios do perfil Gaussiano do espectro Raman ,dos portadores quentes. Estes desvios são explicados pelo efeito de muitos corpos. Sob excitação máxima, foi estabelecido um limite inferior igual a 1x1016 cm-3 para a densidade de portadores foto-excitados. Este valor resultou do ajuste da secção de espalhamento teórica aos dados experimentais. Levando-se em conta o deslocamento em energia da linha correspondente ao fonon LO, estabeleceu-se um limite superior 2x1016 cm-3. Até a maxíma potência disponível, não se observou sinal de saturação na densidade de portadores foto-excitados. Conclui-se então que um limite inferior para manifestação de efeitos de saturaçao e 1x1016 elétrons por cm3. Um alargamento na linha dos fonons LO foi observado sob condições de altas potências de pico de laser. Isto foi explicado como resultado da redução de tempo de vida na presença de excesso de populações dos fonons LO
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Abstract: Not informed
Espalhamento Raman por elétrons e buracos em GaAs
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