Estudo da influência de lasers no aprisionamento de portadores, por impurezas em semicondutores submetidos a campos magnéticos fortes

Estudo da influência de lasers no aprisionamento de portadores, por impurezas em semicondutores submetidos a campos magnéticos fortes

Antonio Boulhosa Nassar

DISSERTAÇÃO

Português

T/UNICAMP N187e

Campinas, SP : [s.n.], 1980.

56 f. : il.

Orientador: Luiz Carlos Moura Miranda

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: Neste trabalho estudou-se a blindagem de impurezas carregadas em semicondutores, submetidos a campos magnéticos fortes uniformes e radiação laser, em baixas temperaturas, e sua influência no aprisionamento dos portadores, no limite ultra-quântico. Verificou-se que a energia de ligação...

Abstract: In this work the features of the screening of na ionized impurity is presented for semiconductors in the simultaneous presence of a laser field and a strong d.c. magnetic field at very low temperatures, taking into account these effects on the carriers freezeout in the ultra-quantum...

Estudo da influência de lasers no aprisionamento de portadores, por impurezas em semicondutores submetidos a campos magnéticos fortes

Antonio Boulhosa Nassar


										

Estudo da influência de lasers no aprisionamento de portadores, por impurezas em semicondutores submetidos a campos magnéticos fortes

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