Difusão de Sn em GaAs usando fonte de SiO2 dopado
Thebano Emilio de Almeida Santos
DISSERTAÇÃO
Português
T/UNICAMP Sa59d
Campinas, SP : [s.n.], 1986.
75 f. : il.
Orientador: Mauro Monteiro Garcia de Carvalho
Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin
Resumo: É feito um estudo sobre difusão de estanho em GaAs dopado com Cr (semi-isolante) e tipo p através da técnica que utiliza filme de SiO2:Sn depositado sobre a amostra. Neste estudo, evidencia-se as influências da conversão do GaAs dopado com Cr e das vacâncias de Ga. Os resultados obtidos são...
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Resumo: É feito um estudo sobre difusão de estanho em GaAs dopado com Cr (semi-isolante) e tipo p através da técnica que utiliza filme de SiO2:Sn depositado sobre a amostra. Neste estudo, evidencia-se as influências da conversão do GaAs dopado com Cr e das vacâncias de Ga. Os resultados obtidos são comparados com os da literatura
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Abstract: Not informed
Difusão de Sn em GaAs usando fonte de SiO2 dopado
Thebano Emilio de Almeida Santos
Difusão de Sn em GaAs usando fonte de SiO2 dopado
Thebano Emilio de Almeida Santos
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