Difusão de Sn em GaAs usando fonte de SiO2 dopado
DISSERTAÇÃO
Português
T/UNICAMP Sa59d
Campinas, SP : [s.n.], 1986.
75 f. : il.
Orientador: Mauro Monteiro Garcia de Carvalho
Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin
Resumo: É feito um estudo sobre difusão de estanho em GaAs dopado com Cr (semi-isolante) e tipo p através da técnica que utiliza filme de SiO2:Sn depositado sobre a amostra. Neste estudo, evidencia-se as influências da conversão do GaAs dopado com Cr e das vacâncias de Ga. Os resultados obtidos são...
Resumo: É feito um estudo sobre difusão de estanho em GaAs dopado com Cr (semi-isolante) e tipo p através da técnica que utiliza filme de SiO2:Sn depositado sobre a amostra. Neste estudo, evidencia-se as influências da conversão do GaAs dopado com Cr e das vacâncias de Ga. Os resultados obtidos são comparados com os da literatura
Abstract: Not informed
Difusão de Sn em GaAs usando fonte de SiO2 dopado
Difusão de Sn em GaAs usando fonte de SiO2 dopado
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