Desenvolvimento de diodos emissores de luz de dupla-heteroestrutura em InGaAsP/InP e GaAlAs/GaAs para aplicação em comunicações opticas

Desenvolvimento de diodos emissores de luz de dupla-heteroestrutura em InGaAsP/InP e GaAlAs/GaAs para aplicação em comunicações opticas

Felipe Rudge Barbosa

TESE

Português

T/UNICAMP B234d

Campinas, SP : [s.n.], 1992.

[121]f. : il.

(Publicação FEE)

Orientador : Edson Moschim

Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica

Resumo: O presente trabalho constitui-se na síntese de LEDs de emissão lateral, fabricados a partir de heteroestruturas duplas em GaAlAs/GaAs e InGaAsP/InP, emitindo em 0,85 e 1,3µm, respectivamente. Esse desenvolvimento, totalmente realizado nos Laboratórios de Optoeletrônica do CPqD-Telebrás, é...

Desenvolvimento de diodos emissores de luz de dupla-heteroestrutura em InGaAsP/InP e GaAlAs/GaAs para aplicação em comunicações opticas

Felipe Rudge Barbosa


										

Desenvolvimento de diodos emissores de luz de dupla-heteroestrutura em InGaAsP/InP e GaAlAs/GaAs para aplicação em comunicações opticas

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