Desenvolvimento de diodos emissores de luz de dupla-heteroestrutura em InGaAsP/InP e GaAlAs/GaAs para aplicação em comunicações opticas
TESE
Português
T/UNICAMP B234d
Campinas, SP : [s.n.], 1992.
[121]f. : il.
(Publicação FEE)
Orientador : Edson Moschim
Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica
Resumo: O presente trabalho constitui-se na síntese de LEDs de emissão lateral, fabricados a partir de heteroestruturas duplas em GaAlAs/GaAs e InGaAsP/InP, emitindo em 0,85 e 1,3µm, respectivamente. Esse desenvolvimento, totalmente realizado nos Laboratórios de Optoeletrônica do CPqD-Telebrás, é...
Resumo: O presente trabalho constitui-se na síntese de LEDs de emissão lateral, fabricados a partir de heteroestruturas duplas em GaAlAs/GaAs e InGaAsP/InP, emitindo em 0,85 e 1,3µm, respectivamente. Esse desenvolvimento, totalmente realizado nos Laboratórios de Optoeletrônica do CPqD-Telebrás, é pioneiro no país, e cobre desde o crescimento epitaxial dos cristais até o encapsulamento final dos LEDs, acoplados a fibras ópticas, visando o atendimento da demanda de fontes confiáveis e de alto desempenho, para aplicação em comunicação ópticas
Desenvolvimento de diodos emissores de luz de dupla-heteroestrutura em InGaAsP/InP e GaAlAs/GaAs para aplicação em comunicações opticas
Desenvolvimento de diodos emissores de luz de dupla-heteroestrutura em InGaAsP/InP e GaAlAs/GaAs para aplicação em comunicações opticas
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