Caracterização elétrica de camadas epitaxiais de In0,71Ga0,29As0,63P0,37

Caracterização elétrica de camadas epitaxiais de In0,71Ga0,29As0,63P0,37

Suhaila Maluf Shibli

DISSERTAÇÃO

Português

T/UNICAMP Sh61c

Campinas, SP : [s.n.], 1987.

91 f. : il.

Orientador: Mauro Monteiro Garcia de Carvalho

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: A liga quaternária semicondutora InGaAsP vem sendo utilizada na fabricação de dispositivos optoeletrônicos, os quais requerem um alto grau de controle quanto às suas características. Para isto, é necessário determinar certos parâmetros deste material. Informações sobre o número e mobilidade...

Abstract: The quaternary alloy InGaAsP has been used in the fabrication of optoelectronic devices which require high degrees of control as far as their properties are concerned. Thus, it becomes necessary to determine some of its characteristic parameters. Information about the number and mobility...

Caracterização elétrica de camadas epitaxiais de In0,71Ga0,29As0,63P0,37

Suhaila Maluf Shibli


										

Caracterização elétrica de camadas epitaxiais de In0,71Ga0,29As0,63P0,37

Suhaila Maluf Shibli

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