Crescimento epitaxial de InGaAs e sua utilização para fabricação de fotodetectores

Crescimento epitaxial de InGaAs e sua utilização para fabricação de fotodetectores

Wilson de Carvalho Junior

DISSERTAÇÃO

Português

T/UNICAMP C253c

Campinas, SP : [s.n.], 1984.

86f. : il.

Orientador: Francisco Carlos de Prince

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: Não informado

Abstract: Not informed.

Crescimento epitaxial de InGaAs e sua utilização para fabricação de fotodetectores

Wilson de Carvalho Junior


										

Crescimento epitaxial de InGaAs e sua utilização para fabricação de fotodetectores

Wilson de Carvalho Junior

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