Crescimento epitaxial de InGaAs e sua utilização para fabricação de fotodetectores
Wilson de Carvalho Junior
DISSERTAÇÃO
Português
T/UNICAMP C253c
Campinas, SP : [s.n.], 1984.
86f. : il.
Orientador: Francisco Carlos de Prince
Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin
Resumo: Não informado
Abstract: Not informed.
Crescimento epitaxial de InGaAs e sua utilização para fabricação de fotodetectores
Wilson de Carvalho Junior
Crescimento epitaxial de InGaAs e sua utilização para fabricação de fotodetectores
Wilson de Carvalho Junior
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