Estudo da mobilidade eletrônica nos compostos InGaASP
DISSERTAÇÃO
Português
T/UNICAMP C333e
Campinas, SP : [s.n.], 1983.
64f. : il.
Orientador: Marcio D'Olne Campos
Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin
Resumo: Este trabalho visa, basicamente, calcular a partir de resultados experimentais duas grandezas importantes para o conhecimento dos mecanismos de transporte de carga na liga quaternária semicondutora InGaAsP. :
a) a densidade de impurezas ionizáveis
b) o potencial de espalhamento por...
Resumo: Este trabalho visa, basicamente, calcular a partir de resultados experimentais duas grandezas importantes para o conhecimento dos mecanismos de transporte de carga na liga quaternária semicondutora InGaAsP. :
a) a densidade de impurezas ionizáveis
b) o potencial de espalhamento por desordem da rede.
Costumeiramente, a obtenção de tais resultados, necessita de dados experimentais mais completos {coletados em temperaturas próximas à do hélio liquido) e de uma complexa análise computacional. Aqui, por motivos vários, mas principalmente pela decisão de acompanhar passo a passo a evolução dos experimentos e dos cálculos, visando uma maior familiaridade com o problema, assumimos um maior dispêndio de tempo na procura de resoluções alternativas e aceitamos a possibilidade de obter resultados um pouco menos precisos. Isso, no entanto, nos parece não ter ocorrido.
Os capítulos I e II fazem um levantamento do problema estudado, descrevem o material utilizado e esboçam o arcabouço da teoria de transporte de carga.
No capitulo III descreveremos a teoria dos três processos de espalhamento que nos serão úteis. Tanto neste capitulo, como nos anteriores, as deduções são francamente voltadas para o que será necessário na fase de analise (parte final deste trabalho). As partes suprimidas, o foram, porque consideradas desnecessárias à compreensão do texto. Estas podem ser encontradas facilmente na literatura citada.
O capitulo IV descreve equipamento experimental, analisa as suas possibilidades e prevê os resultados que poderiam ser encontradas.
A descrição e a análise dos resultados e feita no capitulo V.
Ao final, relatamos as conclusões que decorrem imediatamente dos resultados apresentados, e resumimos os possíveis caminhos abertos durante o trabalho e que não foram percorridos com a necessária atenção nem analisados profundamente. Estes ficam como sugestão para possíveis continuações
Abstract: Not informed.
Estudo da mobilidade eletrônica nos compostos InGaASP
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