Orientador: Eliermes Arraes de Meneses

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: A fotoluminescência do Seleneto de Zinco dopado com Indium (ZnSe:In) foi estudada usando-se diferentes energias das linhas de um laser de Argônio (Ar) e a única linha de um laser de Nitrogênio (N2), como fontes de excitação. No primeiro caso, com energias de excitação menores do que a zona...

Resumo: A fotoluminescência do Seleneto de Zinco dopado com Indium (ZnSe:In) foi estudada usando-se diferentes energias das linhas de um laser de Argônio (Ar) e a única linha de um laser de Nitrogênio (N2), como fontes de excitação. No primeiro caso, com energias de excitação menores do que a zona proibida, duas bandas de emissão foram observadas (1,908 eV e 2,015 eV). No segundo, com excitação maior do que a zona proibida, além daquelas duas bandas já observadas encontrou-se uma terceira (1,908 eV, 2,015 eV e 2,233 eV). Esta última (2,233 eV), em principio, deveria ser observada com excitação das linhas do laser de Argônio. O não aparecimento da banda C é justificado através de uma experiência de fotoexcitação, onde a fotoionização de cada nível de impureza que dá origem as bandas (1,908 eV, 2,015 eV e 2,233 eV) depende da energia de excitação. Um modelo semi-qualitativo dos níveis de impurezas dentro da zona proibida de ZnSe é apresentado para explicar os processos de excitação e emissão

Abstract: The photoluminescence of Zinc Selenide doped with Indium (ZnSe:In) was studied using different lines energies of an Argon laser and the single line of a Nitrogen laser, as an excitation sources. In the first case, with excitation energies less than the gap energy, two emission bands were...

Abstract: The photoluminescence of Zinc Selenide doped with Indium (ZnSe:In) was studied using different lines energies of an Argon laser and the single line of a Nitrogen laser, as an excitation sources. In the first case, with excitation energies less than the gap energy, two emission bands were observed (1.908 eV and 2.015 eV). In the second case, with excitation energy greather than the gap, beyond the two bands observed primarely, we observed a third band (1.908 eV, 2.015 eV and 2.233 eV). In principle the last one should be observed with the excitation line of an Argon laser. The non appearance of this band is justified through an experiment of photoexcitation, where the photoionization of each impurity level that is responsable by the band origin (1.908 eV, 2.015 eV and 2.233 eV) depends on the excitation energy. A semi-qualitative model of impurity level, in the gap of ZnSe is presented to explain the excitation and emission process