Estudo de níveis profundos em semicondutores por transiente de fotocorrente (PITS)

Estudo de níveis profundos em semicondutores por transiente de fotocorrente (PITS)

Maria Jose Santos Pompeu Brasil

TESE

Português

T/UNICAMP B736e

Campinas, SP : [s.n.], 1989.

1v.(varias paginações) : il.

Orientador: Paulo Motisuke

Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: Neste trabalho apresentamos uma análise detalhada dos transientes de fotocorrente em amostras de GaAs semi-isolante, discutindo a sua aplicação e utilidade como um método de caracterização de impurezas e defeitos, com níveis de energia profundos na banda proibida, de semicondutores altamente...

Abstract: We present a detailed analysis or photocurrent transients in semi-insulating GaAs and we discuss its usefulness as a method for characterization or deep level impurities and defects in high resistivity semiconductors. The photocurrent transient measurements were performed in a "home made"...

Estudo de níveis profundos em semicondutores por transiente de fotocorrente (PITS)

Maria Jose Santos Pompeu Brasil


										

Estudo de níveis profundos em semicondutores por transiente de fotocorrente (PITS)

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