Orientadores: Nelson de Jesus Parada, Luiz Guimarães Ferreira

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: É feita unta revisão da teoria da emissão radiativa devida a pares doador-aceitador em semicondutores, juntamente com uma análise dos diversos parâmetros que entram no cálculo da variação da intensidade da emissão com a distancia do par. É proposto um modelo para o cálculo de níveis de...

Resumo: É feita unta revisão da teoria da emissão radiativa devida a pares doador-aceitador em semicondutores, juntamente com uma análise dos diversos parâmetros que entram no cálculo da variação da intensidade da emissão com a distancia do par. É proposto um modelo para o cálculo de níveis de impureza, além de serem obtidas aproximações mais realistas para a seção de choque de captura e para a probabilidade de transição radiativa do par

Abstract: A revised theory of the radiative emission due to donor-aceptor pairs in semiconductors, along with tha analysis of the various parameters which enter into the calculation of the variation of intensity of emission with the pair distance, is worked out. A model to calculate tha impurity...

Abstract: A revised theory of the radiative emission due to donor-aceptor pairs in semiconductors, along with tha analysis of the various parameters which enter into the calculation of the variation of intensity of emission with the pair distance, is worked out. A model to calculate tha impurity states is proposed, more realistic approximations for the pair capture cross-section and for the radiative transition probability have been used