Orientador: Marcio D'Olne Campos

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: Visando a reprodutibilidade, das difusões de Zn em GaAs e Ga0,7 Al0,3 As estudamos a variação da profundidade da junção com o tempo e a temperatura de difusão, e a partir dai obtemos as equações empíricas para a "velocidade" de difusão, bem como a energia de ativação.
Para as difusões...

Resumo: Visando a reprodutibilidade, das difusões de Zn em GaAs e Ga0,7 Al0,3 As estudamos a variação da profundidade da junção com o tempo e a temperatura de difusão, e a partir dai obtemos as equações empíricas para a "velocidade" de difusão, bem como a energia de ativação.
Para as difusões de Zn em GaAs estudamos também a variação da concentração dos portadores em função da distância na camada difundida. Com isso pudemos observar o comportamento anômalo dessas difusões e que não permite calcularmos o coeficiente de difusão pelos métodos tradicionais. Calculamos o coeficiente de difusão usando método de Boltzmann Matano.
Este estudo torna-se importante na preparação de dispositivos especiais obtidos por crescimento epitaxial associado à difusão térmica de impurezas

Abstract: Not informed.