Estudo dos parâmetros da difusão de Zn em GaAs e Ga 0,7 Al 0,3As
Edna Aparecida Sabadini Sato
DISSERTAÇÃO
Português
T/UNICAMP Sa83e
Campinas, SP : [s.n.], 1982.
91f. : il.
Orientador: Marcio D'Olne Campos
Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin
Resumo: Visando a reprodutibilidade, das difusões de Zn em GaAs e Ga0,7 Al0,3 As estudamos a variação da profundidade da junção com o tempo e a temperatura de difusão, e a partir dai obtemos as equações empíricas para a "velocidade" de difusão, bem como a energia de ativação.
Para as difusões... Ver mais Resumo: Visando a reprodutibilidade, das difusões de Zn em GaAs e Ga0,7 Al0,3 As estudamos a variação da profundidade da junção com o tempo e a temperatura de difusão, e a partir dai obtemos as equações empíricas para a "velocidade" de difusão, bem como a energia de ativação.
Para as difusões de Zn em GaAs estudamos também a variação da concentração dos portadores em função da distância na camada difundida. Com isso pudemos observar o comportamento anômalo dessas difusões e que não permite calcularmos o coeficiente de difusão pelos métodos tradicionais. Calculamos o coeficiente de difusão usando método de Boltzmann Matano.
Este estudo torna-se importante na preparação de dispositivos especiais obtidos por crescimento epitaxial associado à difusão térmica de impurezas Ver menos
Para as difusões... Ver mais Resumo: Visando a reprodutibilidade, das difusões de Zn em GaAs e Ga0,7 Al0,3 As estudamos a variação da profundidade da junção com o tempo e a temperatura de difusão, e a partir dai obtemos as equações empíricas para a "velocidade" de difusão, bem como a energia de ativação.
Para as difusões de Zn em GaAs estudamos também a variação da concentração dos portadores em função da distância na camada difundida. Com isso pudemos observar o comportamento anômalo dessas difusões e que não permite calcularmos o coeficiente de difusão pelos métodos tradicionais. Calculamos o coeficiente de difusão usando método de Boltzmann Matano.
Este estudo torna-se importante na preparação de dispositivos especiais obtidos por crescimento epitaxial associado à difusão térmica de impurezas Ver menos
Abstract: Not informed.
Estudo dos parâmetros da difusão de Zn em GaAs e Ga 0,7 Al 0,3As
Edna Aparecida Sabadini Sato
Estudo dos parâmetros da difusão de Zn em GaAs e Ga 0,7 Al 0,3As
Edna Aparecida Sabadini Sato
Exemplares
Nº de exemplares: 2
Não existem reservas para esta obra