Fabricação e caracterização de lasers semicondutores de In 1-x GaxAsyP1-Y- 1,3 um

Fabricação e caracterização de lasers semicondutores de In 1-x GaxAsyP1-Y- 1,3 um

Francisco Carlos de Prince

TESE

Português

T/UNICAMP P936f

Campinas, SP : [s.n.], 1981.

142 f. : il.

Orientador: Navin Bhailalbhai Patel

Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: A idéia de se fabricar lasers semicondutores de InGaAsP surgiu em fins de 76 quando o Prof. Navin Patel retornou de uma conferência nos Estados Unidos, na qual J. Hsieh havia apresentado um trabalho sobre tais lasers. Isso encaixou muito bem nos objetivos do grupo na época, que estava se...

Abstract: The possibility of optical communication systems for long distance and high capacity, together with the slow degradation rate of the In1-xGaxAsyP1-y devices is the main force that drives this technology forward. To fabricate devices for such applications we need to be able produce wafers...

Fabricação e caracterização de lasers semicondutores de In 1-x GaxAsyP1-Y- 1,3 um

Francisco Carlos de Prince


										

Fabricação e caracterização de lasers semicondutores de In 1-x GaxAsyP1-Y- 1,3 um

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