Resumo: Neste trabalho nós investigamos as condições de crescimento de uma camada de óxido de silício na interface entre o filme de Sn02 e o silício. O crescimento deste óxido, bem como suas propriedades de interface, foram estudadas em função da temperatura e ambiente de tratamento térmico; do tipo de condutividade, resistividade e orientação cristalográfica do substrato de silício. Com este propósito foram construídos capacitores de 'Sn¿O IND. 2¿/Si com dimensões de 500 x 500 '(mum) POT. 2¿ e definida uma seqüência de fabricação. Com a finalidade de verificar a possibilidade do emprego deste processo de oxidação, o qual chamamos de processo de oxidação seletiva do silício, na fabricação de transistores de efeito de campo com porta de 'Sn¿'O IND. 2¿ auto-alinhada, foram construídos transistores com diferentes geometrias e defininda também uma seqüência de fabricação. Os resultados obtidos para a espessura do óxido de silício ('Si¿¿O IND. 2¿) e para a densidade total de cargas nele presentes, bem como para os transistores, mostraram que este processo de oxidação seletiva do silício pode ser aplicado na fabricação de circuitos integrados Ver menos