Ataque quimico seletivo do silicio excitado por laser de Hene
DISSERTAÇÃO
Português
(Broch.)
T/UNICAMP T348a
Campinas, SP : [s.n.], 1988.
96f. : il.
Orientador : Vitor Baranauskas
Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica
Resumo: Neste trabalho apresentamos uma técnica para a abertura de janelas no silício monocristalino tipo N com avaliação da profundidade de ataque em tempo real , baseado na reação fotoinduzida do silício com HFaq quando excitado por um laser de HeNe de 0,8 mW de potência atuando com o comprimento...
Resumo: Neste trabalho apresentamos uma técnica para a abertura de janelas no silício monocristalino tipo N com avaliação da profundidade de ataque em tempo real , baseado na reação fotoinduzida do silício com HFaq quando excitado por um laser de HeNe de 0,8 mW de potência atuando com o comprimento de onda de 6328 A. É apresentado também todo o modelamento matemático da cinética de ataque em termos de parâmetros físicos , entre eles o tempo de exposição, corrente total e a potência do laser
Abstract: Not informed.