Desenvolvimento de um sistema de crescimento epitaxial de silicio por redução de tetracloreto de silicio

Desenvolvimento de um sistema de crescimento epitaxial de silicio por redução de tetracloreto de silicio

Susumu Kobayashi

DISSERTAÇÃO

Português

(Broch.)

T/UNICAMP K792d

Campinas, SP : [s.n.], 1987.

125 f. : il.

Orientador: Carlos I. Z. Mammana

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica

Resumo: Foi desenvolvido um sistema de crescimento epitaxial de silício que opera com tetracloreto de silício. O sistema foi inteiramente projetado e construído no Laboratório de Eletrônica e Dispositivos, tendo como objetivos principais a obtenção de camadas epitaxias de silício em substratos de...

Desenvolvimento de um sistema de crescimento epitaxial de silicio por redução de tetracloreto de silicio

Susumu Kobayashi


										

Desenvolvimento de um sistema de crescimento epitaxial de silicio por redução de tetracloreto de silicio

Susumu Kobayashi

    Exemplares