Cálculo de corrente limiar em lasers semicondutores de diversas estruturas
Sieghard Weinketz
DISSERTAÇÃO
Português
T/UNICAMP W432c
Campinas, SP : [s.n.], 1988.
68f. : il.
Orientador: Francisco Carlos de Prince
Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin
Resumo: São feitos estudos de simulação de lasers semicondutores visando a obtenção do valor corrente limiar em função das dimensões do dispositivo, para o caso de lasers de InP / InGaAsP emitindo em 1,3 mm.
Os tipos de estruturas estudadas são a heteroestrutura de confinamento separado, a... Ver mais
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Resumo: São feitos estudos de simulação de lasers semicondutores visando a obtenção do valor corrente limiar em função das dimensões do dispositivo, para o caso de lasers de InP / InGaAsP emitindo em 1,3 mm.
Os tipos de estruturas estudadas são a heteroestrutura de confinamento separado, a heteroestrutura enterrada, e após a obtenção da expressão para o ganho óptico no caso do poço-quântico, são estudadas as características de lasers de heteroestrutura de confinamento separado de poço-quântico Ver menos
Os tipos de estruturas estudadas são a heteroestrutura de confinamento separado, a heteroestrutura enterrada, e após a obtenção da expressão para o ganho óptico no caso do poço-quântico, são estudadas as características de lasers de heteroestrutura de confinamento separado de poço-quântico Ver menos
Abstract: Not informed.
Cálculo de corrente limiar em lasers semicondutores de diversas estruturas
Sieghard Weinketz
Cálculo de corrente limiar em lasers semicondutores de diversas estruturas
Sieghard Weinketz
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