Cálculo de corrente limiar em lasers semicondutores de diversas estruturas

Cálculo de corrente limiar em lasers semicondutores de diversas estruturas

Sieghard Weinketz

DISSERTAÇÃO

Português

T/UNICAMP W432c

Campinas, SP : [s.n.], 1988.

68f. : il.

Orientador: Francisco Carlos de Prince

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: São feitos estudos de simulação de lasers semicondutores visando a obtenção do valor corrente limiar em função das dimensões do dispositivo, para o caso de lasers de InP / InGaAsP emitindo em 1,3 mm.
Os tipos de estruturas estudadas são a heteroestrutura de confinamento separado, a...

Abstract: Not informed.

Cálculo de corrente limiar em lasers semicondutores de diversas estruturas

Sieghard Weinketz


										

Cálculo de corrente limiar em lasers semicondutores de diversas estruturas

Sieghard Weinketz

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