Orientador: Francisco C. Prince

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: Difusão de zinco em antimoneto de gálio foi estudada e um modelo para esta difusão foi proposto, baseado em nossos resultados experimentais em comparação com a solução da equação de Transporte de impurezas.
Este estudo foi conduzido com o propósito de contribuir para a produção de...

Resumo: Difusão de zinco em antimoneto de gálio foi estudada e um modelo para esta difusão foi proposto, baseado em nossos resultados experimentais em comparação com a solução da equação de Transporte de impurezas.
Este estudo foi conduzido com o propósito de contribuir para a produção de dispositivos opto-eletrônicos. A variação da profundidade de junção relacionada do tempo e temperatura de difusão, foi investigada para a determinação dos coeficientes de difusão e energias de ativação. A variação da concentração de aceitadores com a profundidade de junção também foi estudada. Estes perfis experimentais de concentração foram comparados com aqueles obtidos da solução analítica da equação de Transporte. Assumimos que o coeficiente de difusão efetivo é dependente da concentração de impurezas (Zn), e que esta dependência é explicada por uma lei simples de potência em n = 1 ou 2 ou 3, dependendo dos estados de carga dos átomos de zinco intersticial e substitucional.
Este estudo contribui para proposição de um modelo de difusão de Zn em GaSb que envolve a difusão dissociativa e um mecanismo de difusão por formação de complexos

Abstract: The diffusion of zinc in gallium antimonide was studied and a model to this diffusion was proposed, based in our experimental results compared with the solution of the transport equation of impurity.
The purpose of this study was the fabrication of optic-electronic devices. The...

Abstract: The diffusion of zinc in gallium antimonide was studied and a model to this diffusion was proposed, based in our experimental results compared with the solution of the transport equation of impurity.
The purpose of this study was the fabrication of optic-electronic devices. The variation of junction depth as a function of time and temperature of the diffusion was investigated in order to determine the diffusion coefficient and activation energy. The variation of acceptor concentration with the depth of diffused layer was investigated too. The experimental profiles of concentration were compared with those obtained from analytic solution of Transport Equation. We assume that the effective diffusion coefficient is dependent on the impurity concentration (Zn) and that this dependence is explained by power simple law in n = 1 or 2 or 3, depending upon the charge state of interstitial and substitutional zinc atom.
This study contributes to the proposal of diffusion model of Zn in GaSb which involves the dissociative diffusion and a mechanism of diffusion by complex formations