Espalhamento Raman ressonante de fonons em campo magnético
Sonia Frota Pessoa
TESE
Português
T/UNICAMP P439e
Campinas, SP : [s.n.], 1975.
107 f. : il.
Orientador: Roberto Luzzi
Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin
Resumo: Neste trabalho o espalhamento Raman por fonons óticos longitudinais em presença de campo magnético é considerado. Estudamos um material semicondutor tipo ( n ), para campos magnéticos tais que a frequência do fonon ótico longitudinal ( w0 ) esteja na vizinhança de um múltiplo inteiro da...
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Resumo: Neste trabalho o espalhamento Raman por fonons óticos longitudinais em presença de campo magnético é considerado. Estudamos um material semicondutor tipo ( n ), para campos magnéticos tais que a frequência do fonon ótico longitudinal ( w0 ) esteja na vizinhança de um múltiplo inteiro da frequência ciclotrônica dos elétrons. Para isso desenvolvemos um tratamento teórico onde, através de um formalismo de matriz S, chegamos a uma generalização do método de van Hove para o caso de estados quase-estacionários. Isso nos permite relácionar a secção de espalhamento com a função de Green a tempo duplo e portanto usar o esquema discutido no já clássico artigo de Zubarev. Assim, é feito um cálculo da eficiência Raman, com inclusão de vida média para fonons e elétrons devida em parte, à forte interação elétron-fonon nessas condições. Completamos o trabalho com um estudo detalhado da forma de linha e intensidade Raman como função do campo magnético nessa região. Efeitos interessantes são discutidos e uma aplicação ao caso específico do GaAs é feita. Não são incluídos efeitos de temperatura
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Abstract: Not informed
Espalhamento Raman ressonante de fonons em campo magnético
Sonia Frota Pessoa
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