Orientador: Roberto Luzzi

Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: Neste trabalho o espalhamento Raman por fonons óticos longitudinais em presença de campo magnético é considerado. Estudamos um material semicondutor tipo ( n ), para campos magnéticos tais que a frequência do fonon ótico longitudinal ( w0 ) esteja na vizinhança de um múltiplo inteiro da...

Resumo: Neste trabalho o espalhamento Raman por fonons óticos longitudinais em presença de campo magnético é considerado. Estudamos um material semicondutor tipo ( n ), para campos magnéticos tais que a frequência do fonon ótico longitudinal ( w0 ) esteja na vizinhança de um múltiplo inteiro da frequência ciclotrônica dos elétrons. Para isso desenvolvemos um tratamento teórico onde, através de um formalismo de matriz S, chegamos a uma generalização do método de van Hove para o caso de estados quase-estacionários. Isso nos permite relácionar a secção de espalhamento com a função de Green a tempo duplo e portanto usar o esquema discutido no já clássico artigo de Zubarev. Assim, é feito um cálculo da eficiência Raman, com inclusão de vida média para fonons e elétrons devida em parte, à forte interação elétron-fonon nessas condições. Completamos o trabalho com um estudo detalhado da forma de linha e intensidade Raman como função do campo magnético nessa região. Efeitos interessantes são discutidos e uma aplicação ao caso específico do GaAs é feita. Não são incluídos efeitos de temperatura

Abstract: Not informed